STP1N105K3

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

STP1N105K3 datasheet

• Маркировка
  STP1N105K3
• Производитель
  STMicroelectronics
• Описание
  STMicroelectronics STP1N105K3 Continuous Drain Current: 1.4 A Drain-source Breakdown Voltage: 1050 V Fall Time: 50 ns Gate Charge Qg: 13 nC Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Power Dissipation: 60 W Resistance Drain-source Rds (on): 11 Ohms Rise Time: 7 ns Rohs: yes Transistor Polarity: N-Channel Typical Turn-off Delay Time: 27 ns RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 1050 V Resistance Drain-Source RDS (on): 11 Ohms Typical Turn-Off Delay Time: 27 ns
• Количество страниц
  16 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet STP1N105K3.pdf
Файл формата Pdf 273,06 KB